GaAs/AlAs 超晶格多层膜膜厚标准物质用于透射电镜放大倍率在 1 万倍到 50 万倍之间的标尺校准。

一、样品制备

采用分子束外延生长方法，在 GaAs(100)基底上生长每层膜厚名义量值为 10 nm 的 GaAs/AlAs 超晶格 3 周期，块体样品经定值测量后，使用聚焦离子束加工成透射电镜样品。

二、溯源性及定值方法

采用纳米薄膜厚度校准装置（[2014]国量标计证第 273 号）对标准物质定值。该校准装置基于布 拉格方程，通过波长、角度测量的计量溯源，建立标准物质特性量值的计量溯源性，其中：角度测 量量值通过激光干涉仪和自准直仪溯源至国家角度基准；X 射线波长测量量值通过单晶硅晶格参数 溯源至长度的 SI 单位-米（m）。

三、特性量值及不确定度

本标准物质是 6 层结构的多层膜。样品在定值和使用过程中会在表面形成一层氧化或污染层， 其量值仅供参考。从第二层到第六层标准值及扩展不确定度见下表：

注：括号内的特性值为指示值（信息值）。

不确定度评定中考虑了测量过程、测量设备、均匀性及稳定性等引入的不确定度分量。

四、均匀性检验及稳定性考察

参照 JJF1343 国家计量技术规范（等效 ISO 指南 35），采用掠入射 X 射线反射技术，通过方差 分析法进行均匀性评估，评估结果表明，样品均匀性良好；采用掠入射 X 射线反射技术，对样品进 行稳定性评估，评估结果表明，样品稳定性良好。 本标准物质自定值日期起有效期 12 个月，研制单位将继续跟踪监测该标准物质的稳定性，有效 期内如发现量值变化，将及时通知用户。

五、包装、储存及使用

包装：本标准物质内包装为自粘盒，外包装为铝箔真空袋，每盒一个，直径 3 mm，薄区厚度（10-50） nm。

贮存：真空包装，阴凉、干燥处存放； 

使用注意事项：样品开封使用应保证取样工具等洁净避免沾污。建议本标准物质开封后用于一 次检定/校准活动。在确保使用后无变形、无污染时可多次使用，但其量值仅可作为期间核查。